如何打造“不一样”的电源管理器件?

时间:2024-09-09    浏览:227

在半导体领域,电源管理是一个很“卷”的市场,这是不争的事实。一方面,众多半导体厂商都在追求更高的效率、更紧凑的封装、更高的能量密度之路上狂奔,力求打造出更为“极致”的产品;而另一方面,传统硅(Si)基器件,已经越来越接近性能的天花板,从其身上可以榨取的附加值也越来越少。


在这样的大背景下,想要打造出具有差异化优势的、与众不同的电源管理器件,难度可想而知。不过,成功实现这样的目标,也并非无迹可寻,一般来讲有两个可选的路径:

寻找新的替代技术,实现器件性能的迭代升级。就电源管理领域而言,特别是在中高功率的应用中,第三代宽禁带半导体(如SiC和GaN)器件的开发和应用日趋火热,就是这个原因。各个厂商都想抢先在这个领域有所建树,利用性能上的代差优势,从传统硅基器件的“红海”中脱颖而出。


针对特定应用的优化,在某个细分领域确立优势。通过精准的产品定位,以及在性能上的精益求精,在依然庞大的硅基电源管理器件市场,这是一个重要的竞争策略。


对于上面两条路径,大家都心知肚明,可在现实的市场竞争中,谁能够走得通、走得好,则十分考验半导体厂商的市场洞察力和技术实力。在“打造差异化的电源管理产品”方面,Nexperia的表现就非常出色。他们是如何做到的?本文将带着大家做一番深入地探究。


向SiC技术升级


如前文所述,推动新一代的宽禁带半导体器件的开发,是功率半导体厂商确立差异化优势的关键着力点。这一点,在SiC器件的研发和应用上表现得尤为突出。


与传统的如Si材料相比,SiC具有全面的性能优势,如更宽的禁带(能隙)、更高的电场强度、更高的热导率等(如图1)。在诸多优势的加持下,SiC器件的性能提升也是全方位的: