IGBT/MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计

时间:2023-10-25    浏览:101
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处(例如外部栅极电阻器上)损失的功率。在以下示例中,我们将讨论使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能栅极驱动器)的 IGBT 栅极驱动器设计。本设计指南也适用于 MOSFET 栅极驱动器。

IGBT/MOSFET 栅极电阻

选择 RG 值时,重要的是要从栅极驱动器 IC 和功率半导体开关 MOSFET/IGBT 的角度来考虑。对于栅极驱动器 IC,我们选择的 RG 在 IC 允许功耗额定值范围内,同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从IGBT或MOSFET的角度来看,栅极电阻影响导通和关断期间的电压变化dVCE/dt和电流变化diC/dt。

因此,当设计人员选择 IGBT 或 MOSFET 时,选择合适的栅极驱动器光耦合器非常重要,因为该驱动器的电流和额定功率决定了 IGBT 或 MOSFET 导通或关断的速度。