LED 应用中提供 EOS 保护的功能

当 EOS 事件超过设计规范的要求时，LED 应用很容易受到损坏。EOS 事件通常是短暂的；意味着它们发生的时间很短，通常小于一秒，并且通常被称为尖峰（例如，电流尖峰或电压尖峰）。然而，EOS 事件可能是性的，例如将电池向后插入电池供电的 LED 手电筒中。任何单个 EOS 事件，无论持续时间长短，或任意数量的事件，都有可能对 LED 造成损坏。这种损坏可以表现为立即故障，也可以表现为 EOS 事件后数小时内发生的故障。

PolyZen 集成方法

PolyZen 器件集成了精密齐纳二极管和 PolySwitch PPTC（聚合物正温度系数）器件，并通过热粘合方式实现。本质上，PolyZen 器件提供了热保护齐纳二极管，该二极管在单个封装中提供多种优势。PolyZen 系列产品包括两个器件系列，部件号以“LS”和/或“CE”结尾。每个系列都提供不同齐纳电压 (Vz)、PPTC 保持电流 (IHOLD) 和输入电压额定值 (Vintmax – 称为 VIN) 选项的组合。这一系列选项为设计人员提供了多种器件，可用于需要过流/过压保护的各种实际应用。PolyZen 产品原理图和相关术语定义如图 1 所示。


LED 应用中提供 EOS 保护的功能
PolyZen 产品原理图及相关术语定义


PolyZen 器件可用于空间受限的设计。其热保护精密齐纳二极管可以帮助保护电子设备免受电压瞬变、反向偏置、过流和电源使用不当引起的故障。主要优点包括多个器件的可用性、小外形尺寸、单个表面贴装元件、可复位性以及提供超越分立器件性能的多功能保护。