漫谈QLC其三：QLC NAND的主流应用

前文所述，老四QLC在争议中成长，已进入当打之年，凭借性能、寿命、容量和价格极致性价比的特性，配合主控和固件纠错能力和算法方案的日渐成熟，进入到消费级SSD和企业级SSD主战场，如今市面上有多款已量产的消费级和企业级QLC SSD，进入商用。

QLC NAND的典型参数

QLC NAND在三哥TLC NAND光芒映衬下，起初有些暗淡，经过闪存产业三到四代产品的打磨和提升，如今QLC NAND实际主要参数超出了用户的传统认知，如下表：

行业主流QLC 闪存芯片参数范围(源于网络整理)

1）NAND IO接口速度，和TLC相同，1.6GT/s~2.4GT/s。

2）单Die大小，QLC是TLC的2倍。

3）Page读tR时间，QLC是TLC的2倍；但在SLC模式下，QLC和TLC的tR基本相同。

4）Page写tP时间，QLC较TLC更慢，是其5倍时间；但在SLC模式下，QLC和TLC的tP基本相同。

5）寿命方面PE Cycle, QLC已大幅改善。

总结：相比较TLC，QLC NAND IO接口速度相同，单Die容量更大，性能上读写擦速度会慢，但在SSD使用模式上使能SLC block模式，读写速度基本相同，性能慢的缺点会被遮掩。