MOS管G极与S极之间的电阻作用
时间：2023-12-12 浏览：207
将MOS管开启时间分解：t0→t1：当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候（可以理解为对Cgs进行充电），MOS管开始导通，这之前MOS管处于截止区；
t1→t2：随着Vgs继续增大，Id开始增大，Vds开始下降，此时MOS管工作在饱和区（如何判断是在饱和区？直接通过公式可知：Vds>Vgs-Vth，Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍），Id主要由Vgs决定，这个过程中Vds会稍微有点降低，主要是△I导致G极端一些寄生感抗等形成压降；
t2→t3：Vgs增大到一定程度后，出现米勒效应，Id已经达到饱和，此时Vgs会持续一段时间不再增加，而Vds继续下降，给Cgd充电，也正是因为需要给Cgd充电，所以Cgs两端电压变化就比较小（MOS管开通时，Vd>Vg，Cdg先通过MOS管放电，而后再反向充电，夺取了给Cgs的充电电流，造成了Vgs的平台）；
t3→t4：Vgs继续上升，此时进入可变电阻区，DS导通，Vds降来下来（米勒平台由于限制了Vgs的增加，也就限制了导通电阻的降低，进而限制了Vds的降低，使得MOS管不能很快进入开关状态）。
2.MOS管G极与S极之间的电阻作用