增强型 GaN 晶体管的电气特性
时间：2023-11-02 浏览：243
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得利益。注意这些电气特性
每个半导体的功能都有其限制。这些限制通常在器件数据表中突出显示，并作为设计人员如何创建不存在隐藏质量或可靠性问题的设计的指南。增强型 GaN 晶体管（例如 Efficient Power Conversion Corporation (EPC) 的 eGaN FET）具有与商用功率 MOSFET 类似的额定值（允许栅极电压除外）。VGS（施加在栅极和源极之间的电压）正方向为 6 V，负方向为 5 V。与功率 MOSFET 相比，这些值相对较低，设计人员需要确保其布局不会出现导致栅极电压超出这些限制的过冲。一般来说，
典型功率 MOSFET 的阈值电压 (VGS(TH)) 范围为 2 – 4 V。对于 eGaN FET，VGS(TH) 的典型值为 1.4 V。然而，与功率 MOSFET 不同的是，该阈值如图 1 所示，电压对温度相对不敏感。这意味着 eGaN FET 系统的抗噪能力不会像具有更高启动 VGS(TH) 的功率 MOSFET 那样随温度而降低。